De meeste chips worden nu nog gemaakt op een wafer van silicium. Maar galliumnitride, ook wel GaN genoemd, is de laatste jaren in opkomst omdat dit materiaal in chips apparaten energiezuiniger kan maken. Het gaat dan vooral toepassingen voor AI-servers, opladers, zonnepanelen en elektrische auto’s.

Infineon zegt nu een „schaalbaar” productieproces te hebben ontwikkeld voor wafers van galliumnitride met een diameter van 300 millimeter. Tot nu toe gold 200 millimeter als de maximale diameter voor GaN-wafers. Per schijf kunnen daardoor 2,3 keer zoveel chips worden gemaakt, meldt het bedrijf.

Infineon-topman Jochen Hanebeck voorspelt dat de „technologische doorbraak een verandering in de industrie teweegbrengt”. De moeilijkheid zit volgens hem in de steeds hogere spanning op het materiaal naarmate de wafers een groter oppervlak hebben. „Galliumnitride groeit op een klassieke siliciumschijf. Het probleem is dat die materialen eigenlijk niet goed op elkaar passen door hun kristalstructuur. Hoe groter de schijf, hoe groter de spanning. Bij een wafer van 300 millimeter komt dat overeen met vier olifanten op een muntje van 1 cent”, legde hij uit.

Infineon is van plan de grotere wafers te produceren in het Oostenrijkse Villach. Op die locatie ontwikkelde Infineon de nieuwe technologie ook.